THE PLANAR HALL EFFECT AND THE MAGNETORESISTANCE EFFECT IN THE AMORPHOUS SOFT MAGNETIC FILM Fe90-xCoxZr10
非晶态软磁薄膜Fe90-xCoxZr10的平面霍耳效应和磁阻效应

本文研究了非易态软磁薄膜Fe90-xCoxZr10的平面霍耳电压及磁阻随磁场方向、成分和温度的变化规律。采用通常的六探针法进行了测量。结果表明平面霍耳电压和磁阻分别满足经验公式Vy=pM2Isin2θ和△ρ=cM2cos2θ;并给出了Vy表达式中的常数项p正比于ρ2。此外,样品Co90Zr10和样品Fe70Co20Zr10晶化前后的Vy变化正好相反,即富钴成分的样品晶化后,Vy增加,而富铁成分的样品Vy下降。