A STUDY ON PROPERTIES OF Au-DOPED SILICON
掺金单晶硅特性的研究

本文研究单晶硅掺金前后的表面光伏和红外吸收谱,证实在相同表面状况下,红外吸收谱的基线与少子扩散长度的对应关系;由半导体统计,推导出简并因子不等于1时扩金硅的统计公式,以及金受主简并因子gAu,a≠1,金施主简并因子gAu,d≠1硅双重能级复合理论公式,由此计算的少子寿命值与测量值之比在1.64—0.745之间。