BaSn1-xSbxO3-δ和Ba1-yLaySnO3-δ的导电机制

测量了ＢａＳｎ1-xＳｂxＯ3-δ和Ｂａ1-yＬａyＳｎＯ3-δ样品的低温电阻率和磁化率．实验结果表明，在较低温度区域，两类样品的导电机制均是传导电子的范围可变跳跃。而在较高温度区域，ＢａＳｎ1-xＳｂxＯ3-δ样品的电导主要是电子从定域态到扩展态的跃迁所贡献，Ｂａ1-yＬａyＳｎＯ3-δ样品的电导则可能来源于电子的最近邻跳跃。