一种2.8ppm/℃，高PSRR的BiCMOS电压带隙基准源

本文设计了一种新型的高阶补偿，高PSRR的带隙基准源。电路利用双极型晶体管反偏电流ISS和正向电流增益β的温度特性进行曲率补偿，极大简化了补偿电路的面积和功耗；引入滤波电容和电平位移结构等技术提高了电源抑制特性。基于0.6-μm BCD工艺，该基准源在典型电压3.6V下工作电流约为28μA，温度系数为2.8ppm/℃，PSRR在低频时高于80dB，电源电压从3.6V变化到5.5V时线性调整率约为50ppm/V，能广泛应用于高精度便携式设备中。