Temperature dependence of charge sharing and MBU sensitivity induced by a heavy ion
重离子诱导的电荷共享以及MBU敏感性的温度特性

在200K~420K范围内，对130nm CMOS工艺下的电荷共享的温度特性进行了研究。器件模拟的结果表明，随着温度的上升，电荷共享收集量有66%~325%的增加。通过器件模拟得到了两个SRAM单元的MBU的LETth以及DICE单元的LETth。除了电荷共享，电路响应的温度特性也对LETth有显著的影响。