|
半导体学报 2009
Design and fabrication of a terminating type MEMS microwave power sensor
|
Abstract:
提出了一种基于塞贝克效应的终端式MEMS微波功率传感器,该传感器的制作工艺与GaAs MMIC工艺兼容。引入了电热模型对传热及温度分布进行了模拟。传感器对从-20dBm到20dBm的微波功率进行了测量。测量结果显示,20GHz时该微波功率传感器的灵敏度为0.27mV/mW,在整个测量频率范围内回波损耗低于-26dBm。为了改善灵敏度,尝试设计了4种CPW结构,灵敏度提高了约2倍。