%0 Journal Article
%T Aplicaci車n de la ecuacion de Schrodinger en heteroestructuras semiconductoras de baja dimensionalidad
%A Francis Armando Segovia
%J -
%D 2013
%R https://doi.org/10.14483/udistrital.jour.tecnura.2013.3.a03
%X Resumen (es_ES) La investigaci車n presentada en este art赤culo est芍 orientada hacia el 芍rea de mater赤a condensada en el campo de la f赤sica de semiconductores. En esta investigaci車n se utilizan los principios b芍sicos de la mec芍nica cu芍ntica, en especial el de la aproximaci車n de masa efectiva.El objetivo de este art赤culo es determinar las energ赤as del estado fundamental, as赤 como las energ赤as de transici車n electr車n-hueco cuando una heteroestructura semiconductora de GaAs-Ga1-xAlxAs est芍 inmersa en una barrera de Ga1-yAlyAs, por la aplicaci車n de una presi車n hidrost芍tica. La metodolog赤a que se propone en el presente trabajo es solucionar anal赤ticamente la ecuaci車n diferencial de segundo orden de Schrodinger. Las soluciones encontradas permiten determinar las funciones propias de la ecuaci車n diferencial y adem芍s las energias de transicion en el estado fundamental mediante la aplicaci車n de la presi車n hidrost芍tica. Los principales resultados fueron encontrados mediante el uso del software Mathematica 5.0, mostrando que en el regimen de confinamiento fuerte, para pequeˋos anchos del pozo de potencial de la heteroestructura semiconductora, el potencial de confinamiento con la presion es menor para la funci車n de los portadores de carga (electr車n-hueco). Sin embargo, se muestra que en el regimen de confinamiento d谷bil los efectos de la presi車n hidrost芍tica sobre las alturas de la barrera son m芍s significativos, y las energ赤as de los portadores disminuyen
%K ecuaci車n de Schrodinger
%K energ赤a del estado fundamental
%K presi車n hidrost芍tica.
%U https://revistas.udistrital.edu.co/index.php/Tecnura/article/view/6908