%0 Journal Article
%T 双极晶体管的系统电磁脉冲与剂量率综合效应
%A 刘逸飞
%A 吴伟
%A 李进玺
%A 程引会
%A 郭景海
%A 马良
%J 强激光与粒子束
%D 2017
%R 10.11884/HPLPB201729.160136
%X 摘　要： 建立典型半导体器件系统电磁脉冲与剂量率综合效应计算模型,对在瞬态X射线辐照下电缆末端典型n+-p-n-n+结构的双极晶体管负载的系统电磁脉冲与剂量率综合效应进行研究,得到了综合效应现象,分析了综合效应机理,总结了综合效应规律。在系统电磁脉冲与剂量率综合效应作用下,双极晶体管内部，由于载流子数量剧增,其反向击穿阈值降低,综合效应比单一效应更易造成双极晶体管的毁伤。编制的系统电磁脉冲与剂量率综合效应计算程序可用于分析电子学系统中其他类型半导体器件的效应机理与规律
%K 系统电磁脉冲
%K 剂量率
%K 瞬态响应
%K 数值模拟
%U http://www.hplpb.com.cn/CN/abstract/abstract12193.shtml