%0 Journal Article
%T 一种低功耗CMOS过温保护电路的设计
%A 冯全源
%J -
%D 2017
%R 10.11991/yykj.201605011
%X 针对传统过温保护（OTP）电路的温度阈值点和迟滞量受电源电压影响较大和功耗大等缺点，基于0.18 μm BCD工艺，设计了一种新型的高稳定和低功耗的过温保护电路。通过引入带有温度系数电流的反馈技术实现温度阈值点和迟滞量。Hspice仿真结果表明，当温度达到138℃时，能准确地关闭系统，达到保护电路的目的；当温度降低126℃时，系统恢复正常工作。电源电压在3~5 V之间变化时，过温保护的温度阈值点和迟滞漂移量分别为1.75℃和0.05℃，该电路具有结构简单、功耗低和抗干扰能力强等特点，过温保护电路表现出优良的性能，满足了过温保护电路的低功耗和高稳定性的设计要求
%K CMOS
%K 过温保护
%K 低功耗
%K 温度阈值
%K 负温度系数
%K 迟滞量
%U http://yykj.hrbeu.edu.cn/oa/darticle.aspx?type=view&id=201605011