%0 Journal Article
%T 一种pin结构光电器件的研究
%A 袁晓贤
%A 隋国荣
%J -
%D 2016
%R 10.3969/j.issn.1005-5630.2016.05.007
%X pin器件在整流和探测领域都有着重要的潜在应用价值。为了提高器件伏安和光电探测性能，提出了一种新型的p-硅/i-氧化铝/n-掺铝氧化锌（AZO）结构器件，并利用原子层沉积技术（ALD）在低温下实现了器件制备。分析了器件的伏安特性，结果显示相比传统的pn结构器件，新结构在无光条件下实现了152的整流比。通过增加i层的沉积厚度，可以有效抑制遂穿效应，减小暗电流，提高光电检测的灵敏度，实现了比传统材料更高的光生电流灵敏度
%K pin结构 原子层沉积(ALD) 整流比 遂穿效应
%U http://joi.usst.edu.cn/ch/reader/view_abstract.aspx?file_no=20160507&flag=1