%0 Journal Article
%T 31~38 GHz宽带高效率GaAs中功率放大器芯片
%J -
%D 2019
%R 10.11805/TKYDA201901.0169
%X 为实现毫米波放大器芯片的宽带、高增益和高效率，基于GaAs pHEMT工艺实现高增益，采用四级级联拓扑结构拓展带宽，利用电流复用结构降低直流功耗，采用T型电抗匹配技术实现最佳输出功率和效率匹配，成功实现了一款31~38 GHz频段的毫米波宽带高效率功率放大器芯片。测试结果表明，该功率放大器芯片在31~38 GHz宽带范围内，线性增益为26~29 dB，饱和输出功率为21.5 dBm，动态电流低于100 mA，饱和效率≥37%，在32~35 GHz内最高效率达45%
%K 功率放大器 毫米波 砷化镓 宽带 高效率 单片集成电路
%U http://www.iaeej.com/xxydzgc/ch/reader/view_abstract.aspx?file_no=20190131&flag=1