%0 Journal Article
%T 非晶Mg-In-Sn-O薄膜晶体管的制备及有源层厚度对其电学性能的影响
%J 内蒙古大学学报(自然科学版)
%D 2018
%X 制备了Mg-In-Sn-O薄膜晶体管（MITO-TFT）并探究了其电学性能.作为薄膜晶体管有源层的MITO薄膜在室温条件下通过射频磁控溅射沉积在SiO？？2/p-type Si衬底上.为了优化MITO-TFT的器件性能,研究了有源层厚度对器件性能的影响.结果表明25nm厚度的器件拥有最高的迁移率,为12.07cm？？2/Vs,同时阈值电压为4.8V,开关比为1.95×106
%K 薄膜晶体管
%K 有源层厚度
%K 场效应迁移率
%K 阈值电压
%U http://ndxbzkb.imu.edu.cn/oa/DArticle.aspx?type=view&id=20180213