%0 Journal Article
%T 水浴法制备CdS薄膜产生的本征缺陷对光电学性质的影响
%A 徐娜
%A 索忠源
%A 谭乃迪
%A 陈哲
%J 无机化学学报
%D 2016
%X 采用化学水浴沉积法 (CBD) 在钠钙玻璃衬底上制备硫化镉(CdS)薄膜,研究不同硫酸镉(CdSO4)浓度下产生的本征缺陷对CdS薄膜光电学性质的影响。采用光致发光光谱、紫外-可见分光光度计及霍尔效应测试系统对薄膜的本征缺陷、光学及电学性质进行分析,发现CdS薄膜主要存在镉间隙(Cdi)及硫空位(VS)等本征缺陷,且VS随CdSO4浓度的降低而逐渐减少。同时,VS缺陷的减少有利于薄膜透过率的提高,但在一定程度上降低了薄膜的电导率。根据透过率及其相关公式可知,半导体材料中透过率与电导率成e指数反比关系,适当减小薄膜的电导率可以使其透过率得到大幅度的提高,理论解释与实验结果相一致
%K 本征缺陷 CdS薄膜 化学水浴沉积法 电学性质 光学性质
%U http://www.wjhxxb.cn/wjhxxbcn/ch/reader/view_abstract.aspx?file_no=20160116&flag=1