%0 Journal Article
%T 模板法制备CdSe纳米材料及其光电性能
%A 姚素薇
%A 张卫国
%A 王宏智
%A 陈雄卓
%A 雷献超
%J 无机化学学报
%D 2017
%X 采用电化学沉积法，在阳极氧化铝（AAO）模板中成功制备出CdSe纳米管和纳米线。利用扫描电子显微镜（SEM）、透射电子显微镜（TEM）、X射线衍射分析（XRD）和能量色散X射线光谱仪（EDS）对材料的形貌、结构和元素组成进行了表征。借助紫外-可见吸收光谱等对材料光催化活性进行了研究。结果表明：通过控制沉积电量可成功制备CdSe纳米管和纳米线；CdSe纳米材料为立方晶型与六方晶型的混合，经350℃退火处理后，CdSe纳米材料中由立方晶型向六方晶型转变，光照开路电位差值明显增强，在0 V（vs SCE）电位下的光照电流密度也有所提高，光电转换性能增强；CdSe纳米线的吸收边在710 nm左右，禁带宽度约为1.85 eV，CdSe纳米管相对于CdSe纳米线具有更高的光电转换性能和光催化活性，经7 h光照后，罗丹明B降解效率高达53.93%。另外，本文还讨论了CdSe纳米材料在AAO模板孔壁的生长机理
%K CdSe纳米材料 退火 光催化 电沉积
%U http://www.wjhxxb.cn/wjhxxbcn/ch/reader/view_abstract.aspx?file_no=20171215&flag=1