%0 Journal Article
%T 电解液成分、厚度及表面改性对旋涂法制备的BiVO4膜层光电化学性能的影响
%A 倪中海
%A 刘琳琳
%A 时梅林
%A 隋美蓉
%A 顾修全
%J 无机化学学报
%D 2018
%X 采用旋涂法在FTO（SnO2∶F）导电玻璃衬底上沉积得到BiVO4多孔薄膜用以光解水，改变前驱体的浓度和旋涂次数以调控薄膜的厚度。研究了电解液成分、膜层厚度及表面改性等因素对刚经历过退火处理的BiVO4薄膜光电化学（PEC）性能的影响。结果表明：通过在电解液中添加适量的空穴吞噬剂Na2SO3，或对表面进行Co-Pi改性均能有效改善BiVO4薄膜的PEC活性。这些措施均能有效抑制固液界面处的载流子复合反应。经Co-Pi改性的BiVO4薄膜在0.6 V（vs SCE）偏压下，0.1 mol·L-1 Na2SO4+0.1 mol·L-1 Na2SO3的电解液中展现出最高的光电流密度（4.3 mA·cm-2）。此外，选用一个代表性BiVO4薄膜作为光阳极制备了一个PEC生物传感器，在检测谷胱甘肽（GSH）上表现出比较高的灵敏度。本研究证实了BiVO4薄膜的PEC性能严重依赖着光俘获效率和载流子输运过程
%K 钒酸铋 光电化学 多孔膜 掺杂 修饰
%U http://www.wjhxxb.cn/wjhxxbcn/ch/reader/view_abstract.aspx?file_no=20180623&flag=1