%0 Journal Article
%T 金属氧化物与现代微电子学——过渡金属前体化合物及转化为材料的化学过程
%A Adam C. Lamb
%A Tabitha M. Cook
%A 薛子陵
%J 无机化学学报
%D 2017
%X 金属氧化物薄膜如HfO2（被称为高k电介质）是现代微电子器件的关键组件，广泛用于计算机（平板电脑，笔记本电脑和台式机）、智能电话、智能电视、汽车和医疗设备中。具有大介电常数（k）的金属氧化物已经取代了介电常数小的SiO2（k=3.9），从而使得微电子元件进一步小型化。过渡金属化合物在化学气相沉积（CVD）和原子层沉积（ALD）中被广泛用作前体，通过与O2、H2O或O3的反应生成金属氧化物薄膜。微电子金属氧化物膜是纳米材料最广泛应用的一个领域。本文概观该领域的最新进展，包括我们对d0过渡金属配合物与O2反应的研究
%K 金属氧化物 栅极电介质材料 薄膜 微电子学 化学气相沉积 原子层沉积
%U http://www.wjhxxb.cn/wjhxxbcn/ch/reader/view_abstract.aspx?file_no=20171104&flag=1