%0 Journal Article
%T 面向非易失内存的数据一致性研究综述
%A 冯丹
%A 张晓祎
%A 程良锋
%A 胡燏翀
%A 肖仁智
%J -
%D 2020
%R 10.7544/issn1000-1239.2020.20190062
%X 随着DRAM技术面临密度扩展瓶颈以及高泄漏功耗问题，新型非易..
%K [新型非易失内存
%K 非易失内存
%K 相变存储器
%K 系统故障
%K 一致性
%K novel non-volatile memory
%K non-volatile memory (NVM)
%K phase change memory (PCM)
%K system failure
%K consistency]
%U http://crad.ict.ac.cn/CN/10.7544/issn1000-1239.2020.20190062