%0 Journal Article
%T 硫化反应生长ZnS薄膜的结构和光学性能研究
%A 卓雯
%A 宋力刚
%A 张仁刚
%A 李英龙
%A 陈书真
%J -
%D 2016
%X 以物理气相沉积中的溅射和蒸发方法,在玻璃衬底上沉积Zn/S/Zn三层膜结构,然后在1 atm压力的Ar气氛中退火制备ZnS薄膜,利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、紫外-可见透射光谱对ZnS薄膜的晶体结构和光学性质及其生长机理进行研究。结果表明,在450 ℃温度下退火时,三层膜结构中高活性Zn和S容易发生硫化反应,形成的ZnS薄膜为立方晶体结构,沿(111)晶面择优生长；其ZnS特征吸收边出现在350 nm附近,在可见光波长范围内,ZnS薄膜具有约80%的透光率；在450 ℃温度下退火后再于550 ℃温度下退火,所制ZnS薄膜的结晶性得到进一步提高
%K ZnS薄膜 溅射 蒸发 退火 透光率 晶体结构 硫化反应<br>ZnS thin film sputtering evaporation annealing optical transmission crystal structure vulcanization reaction
%U http://wkdxb.wust.edu.cn/wkd_zr/ch/reader/view_abstract.aspx?file_no=20160506&flag=1