%0 Journal Article
%T 电注入退火条件对铸造单晶硅PERC电池抗LID效应影响的研究
%A 倪志春
%A 张树德
%A 李树兵
%A 李跃
%A 沈鸿烈
%A 王泽辉
%A 魏青竹
%J -
%D 2019
%R 10.16818/j.issn1001-5868.2019.06.004
%X 铸造单晶硅太阳电池由于性价比高,在晶硅太阳能市场占有越来越重要的地位。文章以B和Ga共掺杂的铸造单晶硅钝化发射和背面(PERC)电池为研究对象,采用现有工业生产的电注入退火方法,分别进行了260和180℃温度下的不同电注入条件退火处理和随后的光致衰减(LID)效应分析。分析表明:经180℃的电注入退火处理,电池效率的变化率为-0.64%,经60kW·h的光照后,电池效率比退火前降低了2.79%。而经过260℃的电注入退火处理后,电池效率提高1.12%,且经60kW·h的光照后,电池效率比退火前仅下降1.96%。这些结果说明,260℃的电注入退火条件更适用于铸造单晶硅电池的抗LID处理
%K PERC电池 LID效应 铸造单晶硅 电注入退火 电学性能
%U http://www.semiopto.net/ch/reader/view_abstract.aspx?file_no=20190604&flag=1