%0 Journal Article
%T 掺杂Ti的纳米CrSi2薄膜的制备
%A 宋贵宏
%J 功能材料
%D 2014
%X 本文利用多靶磁控溅射设备交替沉积Cr,Ti层和Si层，并通过随后的真空退火处理，制备了掺杂Ti的CrSi2薄膜。交替沉积薄膜500℃退火2h，薄膜中除含有(Cr,Ti)Si2相外，还有部分沉积Si和少量生成CrSi相；退火时间增加，沉积Si相和CrSi相减少而(Cr,Ti)Si2相增多；500℃退火6h及以上时间，薄膜中仅有(Cr,Ti)Si2相。薄膜X射线衍射峰半高宽估算平均晶粒尺寸表明，退火时间从2h增加到8h，薄膜中(Cr,Ti)Si2相晶粒尺寸由68 nm近似线性增加到81 nm。退火获得的(Cr,Ti)Si2薄膜具有纳米结构和具有(111)面单一取向。随着掺杂Ti摩尔分数的增加，薄膜X射线衍射谱中(Cr,Ti)Si2(111)晶面衍射角逐渐向低角度方向移动，这反映(Cr,Ti)Si2相的晶格常数a和c逐渐增大。晶格常数的变化与掺杂Ti的摩尔分数近似呈线性关系，这是结构中原子半径较大的Ti原子替换原子半径较小Cr所造成的。计算分析显示，单晶Si(100)上(Cr,Ti)Si2(111)晶面外延生长是它们的界面晶格畸变能较低的结果；Ti摩尔分数增加，(Cr,Ti)Si2薄膜的(111)晶面择优取向程度下降
%K CrSi2薄膜
%K Ti掺杂
%K 退火
%K 磁控溅射
%K 外延生长
%U http://www.gncl.cn/CN/abstract/abstract10807.shtml