%0 Journal Article
%T 壳聚糖修饰掺硼金刚石薄膜电极测定铜离子
%A 多思
%A 朱宁
%J 功能材料
%D 2011
%X 摘要： 通过热丝化学气相沉积(HFCVD)的方法，以钽（Ta）为衬底，三氧化二硼(Be2O3)为硼源,制备掺硼金刚石（BDD）薄膜。并采用共价键合法进一步制得壳聚糖修饰BDD薄膜电极。以此修饰电极为工作电极，在0.1mol/L，PH=4的磷酸氢二钠缓冲液中对Cu2+进行检测。实验表明:Cu2+在4.0×10-7～1.0×10-3mol/L浓度范围内与峰电流成良好的线性关系，相关系数为0.9916，检测限达7.0×10-8mol/L。比较了不同富集方式对Cu2+的检测效果，并分别用未经修饰的BDD电极和经壳聚糖修饰的BDD电极对相同浓度的Cu2+进行电化学检测，发现不仅还原峰电流明显增大而且还原峰电位也发生偏移，这表明经化学修饰的BDD电极能更加灵敏、准确的测定Cu2+，同时也佐证了壳聚糖成功修饰在BDD电极上
%K 热丝化学气相沉积
%K 掺硼金刚石薄膜
%K 壳聚糖
%K 铜离子
%U http://www.gncl.cn/CN/abstract/abstract10067.shtml