%0 Journal Article
%T 应变GaN/AlxGa1-xN量子阱中电子的跃迁能量
%A 哈斯花
%J 功能材料
%D 2011
%X 考虑电场及隧穿效应的影响，基于常微分数值计算方法，并利用量子阱系统边界条件自洽求解薛定谔方程和泊松方程，获得电子本征态。以典型的GaN/AlxGa1-xN量子阱为例，计算了势阱中电子的本征能级和带内跃迁能。结果表明，电子在量子阱中的能量是量子化的，内建电场促使能级间距增大；调节阱宽及组分可以获得不同能级并改变跃迁能
%K 定态薛定谔方程
%K 量子阱
%K 内建电场
%K Al组分
%K 阱宽
%K 跃迁
%U http://www.gncl.cn/CN/abstract/abstract12030.shtml