%0 Journal Article
%T MgO缓冲层对PZT/AlGaN/GaN异质结构电学性能的影响
%A 张菲
%J 功能材料
%D 2011
%X 采用脉冲激光沉积（PLD）技术，以MgO作为缓冲层，在AlGaN/GaN半导体异质结构上沉积了Pb(Zr0.52T0.48)03(PZT)铁电薄膜，从而形成金属-铁电-介质-半导体结构（MFIS）。XRD扫描结果表明：通过MgO缓冲层对界面结构的优化，实现了PZT薄膜沿（111）面择优取向生长。电流—电压（I-V）测试结果显示：MgO缓冲层的引入大大改善了集成体系的电学性能。在外加电压为-8V时，与无MgO缓冲层的MFS异质体系相比较，该MFIS结构的漏电流密度降低了5个数量级。集成体系的电容-电压（C-V）表现出逆时针窗口特征，反映了铁电极化对二维电子气（2DEG）的调制作用。随着缓冲层厚度的降低，铁电极化对2DEG的调制作用逐渐增强。当MgO缓冲层厚度达到2nm时，C-V窗口达到0.7V，阈值电压（Vth）降低到-1.7V
%K 脉冲激光沉积
%K PZT
%K MgO
%K C-V
%K I-V
%U http://www.gncl.cn/CN/abstract/abstract12654.shtml