%0 Journal Article
%T 反铁磁性交换作用对P,n型参杂的GaAs居里温度的影响
%A 关玉琴
%A 赵春旺
%A 陈余
%J 功能材料
%D 2010
%X 居里温度与载流子浓度和反铁磁性交换作用有着密切联系，本文定量分析反铁磁性交换作用对p型及n型GaAs材料的居里温度的影响，计算证明：反铁磁性交换作用对p型和n型参杂的GaAs居里温度的影响有着本质的区别。p型半导体材料的居里温度仅仅与反铁磁性交换作用有关，而与掺杂浓度无关；对n型半导体居里温度与反铁磁性交换作用和掺杂浓度都有关，而且高掺杂浓度下居里温度比低掺杂浓度下居里温度低
%K 稀磁半导体材料
%K 反铁磁性交换作用
%K 居里温度
%K P
%K n型参杂
%K 掺杂浓度
%U http://www.gncl.cn/CN/abstract/abstract10209.shtml