%0 Journal Article
%T ZnO-MgO-TiO2-SnO2系高频介电陶瓷的制备与介电性能
%A 冯雪丽
%A 刘向春
%A 周凯旋
%A 左琛光
%A 杨洋
%J 功能材料
%D 2014
%X 在ZnO-TiO2-SnO2陶瓷基础上，掺杂MgO得到（1-x）ZnO-xMgO-0.88TiO2-0.12SnO2系新型介电陶瓷。对其相转变、微观组织结构和高频介电性能进行了研究，结果表明：在不加入任何烧结助剂情况下，试样可于1080℃达到烧结，其相对密度为94.4%；当x=0.05时，陶瓷为纯相尖晶石结构(Zn0.5,Mg0.5)2(Ti0.88,Sn0.12)O4，其介电性能优良：1MHz时ε=18.88，tanδ＝5×10-4，τ?=2.89ppm/℃，可用作低温烧结高频电容器材料的优秀候选材料
%K (Zn
%K Mg)2(Ti
%K Sn)O4
%K 尖晶石结构
%K 高频介电
%U http://www.gncl.cn/CN/abstract/abstract14179.shtml