%0 Journal Article
%T 原位沉淀-焙烧法制备NiO/P-CNT复合材料及其电容性质
%A 周佳盼
%A 崔青霞
%A 樊剑章
%A 石伟
%A 米红宇
%J 功能材料
%D 2013
%X 以聚吡咯衍生的碳纳米管作为载体，通过原位沉淀-焙烧相结合，合成了新型的氧化镍/聚吡咯衍生碳纳米管(NiO/P-CNT)复合材料。采用粉末X-射线衍射、热重、能谱、扫描电镜、透射电镜、循环伏安以及恒流充放电测试对样品进行表征和分析。结果表明：须状氧化镍均匀的负载在聚吡咯衍生的碳管表面，构成了具有三维网络结构的复合物。基于这种特殊结构的优势，该复合物在电流密度为2 A g-1下的比电容为382 F g-1，NiO在复合物中电容贡献为441 F g-1，而NiO的比电容为351 F g-1。经过400圈充放电后，复合物的比电容保持在90%以上，而NiO的容量保持率为82.6%。因此，该复合电极材料较NiO具有更高的比电容和更好的循环特性
%K 原位沉淀-焙烧法
%K 聚吡咯衍生的碳纳米管
%K 复合材料
%K 比电容
%U http://www.gncl.cn/CN/abstract/abstract10656.shtml