%0 Journal Article
%T 碲铟汞(111)晶面腐蚀坑的研究
%A 介万奇
%A 傅莉
%A 孙叶
%A 王涛
%A 罗林
%J 功能材料
%D 2010
%X 通过扫描电镜、扫描探针显微镜和电子背散射衍射仪对改进的Chen法腐蚀液在Hg3In2Te6 (111)晶片上形成的腐蚀坑进行了研究。实验发现，腐蚀坑形貌主要有线形、梭形、枣形三种，且后两者的沟槽在(111)面的投影只有三种取向,并互成120°夹角。进一步分析的结果表明，上述蚀坑的形成可由螺位错双交滑移的模型加以解释
%K 碲铟汞
%K 腐蚀坑
%K 位错
%K 电子背散射衍射
%K 双交滑移
%U http://www.gncl.cn/CN/abstract/abstract10681.shtml