%0 Journal Article
%T Ge纳米点/Si纳米线复合结构制备及微结构特征分析
%A 叶敏华
%J 功能材料
%D 2010
%X 摘要: 本文结合金属纳米颗粒辅助化学刻蚀法制备Si纳米线和低压化学气相外延自组织生长Ge纳米点制备了Ge纳米点/Si纳米线复合结构，采用电子显微镜、微区原子力/拉曼联合测试系统进行了微结构表征。Ge纳米点基本均匀地分布于Si纳米线上，通过改变生长参数可有效控制Ge纳米点的尺寸和密度。在非常扁薄的无支撑的纳米点/线复合结构中，由于应力和热效应的作用使Si和Ge的拉曼散射特征峰发生了较大的红移
%K 纳米点
%K 纳米线
%K 制备
%K 微结构
%U http://www.gncl.cn/CN/abstract/abstract10661.shtml