%0 Journal Article
%T 9,9′-联蒽薄膜的AFM和XRD研究
%A 常文利
%A 张春林
%A 张福甲
%A 李建丰
%J 功能材料
%D 2010
%X 利用常规的真空蒸发技术，在热氧化硅片的衬底上制备了不同的衬底温度、蒸发温度和蒸发时间条件下的9,9′-联蒽有机薄膜。用原子力显微镜对制备的9,9′-联蒽薄膜形貌进行了观察，研究了9,9′-联蒽的生长模式，并讨论了其表面形貌及岛状晶核分布与生长条件之间的机理。同时，借助X-射线衍射仪分析了薄膜的晶体结构。结果表明：在衬底温度为50℃、蒸发温度为180℃、蒸发时间为60s时能够获得具有良好晶体特性的均匀致密的多晶薄膜，其适合做有机场效应晶体管的有源层
%K 9’-联蒽
%K 表面形貌
%K 生长模式
%K 原子力显微镜
%U http://www.gncl.cn/CN/abstract/abstract10215.shtml