%0 Journal Article
%T 束流密度对Ge/Si量子点溅射生长的影响
%A 杨宇
%A 杨杰
%A 王茺
%A 陶东平
%J 功能材料
%D 2012
%X 采用离子束溅射技术在Si基底上自组织生长了一系列Ge量子点样品，研究了束流密度对Ge/Si量子点的尺寸分布和形貌演变的影响。原子力显微镜测试结果表明，随着束流密度的增加，量子点的面密度持续增大，其尺寸不断减小，量子点的形貌由圆顶形转变为过渡圆顶形。计算直径标准偏差的结果表明，当束流密度为0.86 mA?cm-2时，量子点的尺寸均匀性最佳。束流密度与沉积速率成正比，影响着表面吸附原子与其他原子相遇而形成晶核的能力
%K 离子束溅射沉积
%K Ge/Si量子点
%K 束流密度
%K 原子力显微镜
%U http://www.gncl.cn/CN/abstract/abstract11722.shtml