%0 Journal Article
%T 不同沉积速率下微晶硅薄膜的生长行为研究
%A 丁旭
%A 李贺军
%A 鲁媛媛
%J 功能材料
%D 2019
%R 10.3969/j.issn.1001-9731.2019.02.003
%X 鉴于微晶硅薄膜在沉积过程中先经历一个非晶过渡层才开始晶化的生长特点,试图通过降低薄膜的沉积速率来延长沉积原子在薄膜生长表面的扩散时间,以达到促进晶粒生长的目的。研究结果表明,反应气体气流量的减小可以有效降低薄膜的沉积速率;随着沉积速率的降低,薄膜的表面粗糙度明显减小,且其平均晶粒尺寸有所增大,通过HRTEM甚至能观察到尺寸在10 nm以上的晶粒,说明沉积速率的降低对沉积粒子在薄膜生长表面的扩散过程有较大影响;另外,薄膜的少子寿命随着沉积速率的降低逐渐增大,这与薄膜结晶程度和平均晶粒尺寸的变化趋势一致,可见微观结构对电学性能起着决定作用
%K 微晶硅薄膜
%K 沉积速率
%K 微观结构
%K 表面形貌
%U http://www.gncl.cn/CN/abstract/abstract16470.shtml