%0 Journal Article
%T 石墨烯在GaN表面的直接制备及其在GaN-LED中的应用研究
%A 孙捷
%A 樊星
%A 熊访竹
%A 王乐
%A 符亚菲
%A 董毅博
%A 郭伟玲
%J 功能材料
%D 2019
%R 10.3969/j.issn.1001-9731.2019.03.014
%X 石墨烯具有优良的光电特性,它能够替代传统的ITO材料用作GaN-LED的透明导电层。为了使上述应用实现工业化生产,利用热壁CVD研究了石墨烯在GaN表面直接生长的最佳条件,解释了直接生长的机理,直接生长的最佳条件为生长温度800 ℃,生长时间60 min,CH4和H2的分压比分别为1.59%和3.17%,该条件下得到具有明显2D峰的多层石墨烯。利用冷壁CVD研究了石墨烯在GaN表面的低温生长并制造了相应的GaN-LED,测试了其性能,结果表明生长温度高于700℃时器件的性能明显降低。该研究对实现石墨烯在LED中的工业化应用具有积极意义
%K 石墨烯
%K 化学气相沉积
%K 直接生长
%K GaN-LED
%U http://www.gncl.cn/CN/abstract/abstract16498.shtml