%0 Journal Article
%T InAs沉积量对InAs/GaAs量子点表面形貌的影响
%A 丁召
%A 周海月
%A 王一
%A 王继红
%A 罗子江
%A 赵振
%A 郭祥
%A 魏文喆
%J 功能材料
%D 2015
%X 基于分子束外延(MBE)技术，以反射式高能电子衍射仪(RHEED)作为实时监测工具，在经过Ga液滴刻蚀而具有纳米洞的GaAs衬底上沉积不同厚度的InAs材料形成量子点，并利用扫描隧道显微镜(STM)研究了量子点的形成及分布与InAs沉积量之间的关系。结果表明，在GaAs衬底平坦区，InAs按照SK模式生长，在纳米洞位置，洞内及其周围的台阶会约束量子点的生长成核，而随着InAs沉积量的增加，这种约束会逐渐减小。特别是当InAs沉积量为2ML时，在纳米洞周围会形成尺寸均匀，分布有序且呈环状的量子点结构
%K 分子束外延
%K 液滴刻蚀
%K 台阶
%K InAs量子点
%U http://www.gncl.cn/CN/abstract/abstract13570.shtml