%0 Journal Article
%T Ni-Si共晶的位向关系及晶格错配度的高分辨透射电镜研究
%A 崔春娟
%A 杨 猛
%A 杨 程
%A 田露露
%A 薛 添
%A 问亚岗
%J 功能材料
%D 2016
%R 10.3969/j.issn.1001-9731.2016.08.035
%X 采用HRTEM研究了Ni-Si共晶的位向关系及相界面的微观结构。研究表明共晶体之间的位向关系为(111)Ni∥(111)Ni3Si且[110]Ni∥[211]Ni3Si。它们之间形成这样的位向关系符合界面能量最低原则,使材料性能达到最优状态。两相在〈111〉向的错配度为5%,界面产生错配位错来吸纳相界面两侧的错配,两相界面为半共格界面
%K 定向凝固
%K 布里奇曼
%K 位向关系
%K 晶格错配度
%K 高分辨透射电镜
%U http://www.gncl.cn/CN/abstract/abstract15182.shtml