%0 Journal Article
%T 石墨衬底上多晶硅厚膜的生长及性质分析
%A 孔凡迪
%A 杨博
%A 牟潇野
%A 白一鸣
%A 陈吉堃
%A 陈诺夫
%A 陶泉丽
%J 功能材料
%D 2016
%R 10.3969/j.issn.1001-9731.2016.04.014
%X 以石墨片为衬底,利用磁控溅射技术生长多晶硅籽晶层,退火处理后用CVD制备多晶硅厚膜。XRD测试结果表明,在籽晶层上外延多晶硅厚膜具有高度的(220)取向,这说明外延层的择优取向延续了籽晶层的取向。SEM测试结果表明,石墨片上多晶硅外延层生长良好,说明石墨片作为廉价衬底之一,有望投入工业化生产,以降低太阳能电池的制作成本
%K 石墨
%K 籽晶层
%K 择优取向
%K 退火
%U http://www.gncl.cn/CN/abstract/abstract14721.shtml