%0 Journal Article
%T 不同基底对退火制备Ni纳米岛掩模形貌的影响
%A 张保花
%A 葛梅
%A 蔡青
%A 薛俊俊
%A 陈将伟
%J 功能材料
%D 2017
%R 10.3969/j.issn.1001-9731.2017.09.026
%X 目前,刻蚀自组装在GaN薄膜上Ni纳米岛的掩模的方法是制备GaN纳米柱阵列常用手段。但是,这将对后续制备出的纳米柱产生Ni污染。除此之外,直接将GaN系的材料暴露在高温下进行Ni纳米岛掩模的制备,会对GaN材料表面产生一定的热腐蚀损伤。因此,以GaN、SiO2、Al2O3和SixNy分别为基底,对退火自组装在这4种基底上的Ni纳米岛形貌进行了较为系统的研究。发现850 ℃的退火温度下,Al2O3基底上Ni薄膜形成的纳米岛的形貌最为规整,为最优化衬底
%K GaN
%K 退火
%K Ni纳米岛
%K 制备
%U http://www.gncl.cn/CN/abstract/abstract17549.shtml