%0 Journal Article
%T Cr和Mo掺杂对单层WSe2能带结构影响的第一性原理研究
%A 冀圆圆
%A 戴宪起
%A 李伟
%A 王天兴
%J 功能材料
%D 2015
%X 采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波赝势方法, 研究了Cr和Mo掺杂对单层WSe2能带结构的影响。计算结果表明: Mo对单层WSe2的能带结构没有影响，而Cr则影响很大。随着掺杂浓度的增加，带隙宽度逐渐减小，能带由原来的直接带隙变为了间接带隙。Cr 掺杂后所产生的应力是导致能带结构发生变化的直接原因
%K 掺杂
%K 第一性原理
%K 二硒化钨
%K 铬
%K 钼
%K 能带结构
%U http://www.gncl.cn/CN/abstract/abstract13270.shtml