%0 Journal Article
%T 单晶硅快速磷扩散研究
%A 孔凡迪
%A 王从杰
%A 白一鸣
%A 贺凯
%A 陈吉堃
%A 陈诺夫
%A 陶泉丽
%A 魏立帅
%J 功能材料
%D 2017
%R 10.3969/j.issn.1001-9731.2017.02.016
%X 采用传统方法向晶体硅中扩磷不仅耗时长,而且能耗多。使用快速热处理(RTP)方法可以在数十秒时间内达到磷扩散深度和浓度的要求,具有广阔前景。使用磷纸作为扩散源,结合快速热处理法对p型单晶硅片进行磷扩散,用磨角染色法探究扩散结深,获得了最为理想的p-n结扩散温度及时间。通过计算快速热处理条件下磷在硅中的扩散系数以及扩散激活能,分析了与传统扩散方法不同的原因
%K 半导体材料
%K p-n结
%K 快速热处理
%K 磷扩散
%K 扩散系数
%U http://www.gncl.cn/CN/abstract/abstract16830.shtml