%0 Journal Article
%T Nb掺杂SnO<sub>2</sub>电子特性与光学性能第一性原理研究<sup>*</sup>
%A 杨静凯
%A 王立坤
%A 王贵
%A 蔡文豪
%A 赵洪力
%J 功能材料
%D 2019
%R 10.3969/j.issn.10019731.2019.11.018
%X 使用第一性原理杂化泛函HSE06的方法对Nb掺杂SnO2 (NTO)的电子特性和光学性能进行了研究。计算得出NTO具有较小的结构畸变。本征SnO2的直接带隙为3.80 eV,Nb掺杂使SnO2的直接带隙减小,但大于3.33 eV。受Nb 4d轨道的影响,导带底的电子有效质量先减小后增加,并且导带向价带方向移动增加了电子亲和力。对其光学性能进行研究得出Nb掺杂扩宽了SnO2的光学带隙,使红外光区的反射率增加
%K 二氧化锡
%K Nb掺杂
%K 杂化泛函
%K 电子特性
%K 光学性能
%U http://www.gncl.cn/CN/abstract/abstract17848.shtml