%0 Journal Article
%T 电场对Ti和Zn掺杂单层SnSe磁性的影响
%A 常姗姗
%A 戴宪起
%A 李伟
%A 王小龙
%A 马亚强
%J 功能材料
%D 2017
%R 10.3969/j.issn.1001-9731.2017.09.017
%X 采用基于第一性原理的密度泛函理论对过渡金属Ti和Zn掺杂单层SnSe的磁性进行研究。计算表明,Ti比Zn更易在单层SnSe体系中掺杂,Ti掺杂体系具有磁性,体系的费米能级向导带移动,而Zn掺杂单层SnSe体系不具有磁性。加外电场使得Ti和Zn在单层SnSe中掺杂变难,外电场会引起Ti掺杂单层SnSe体系的电荷重新分布。在-4～4 V/nm范围内,外电场对Ti和Zn掺杂SnSe体系的磁性影响很小
%K 单层SnSe
%K 掺杂
%K 磁性
%K 电场
%U http://www.gncl.cn/CN/abstract/abstract17540.shtml