%0 Journal Article
%T Ni掺杂ZnO纳米棒阵列膜的增强紫外光电响应
%A 姜晓彤
%A 谢长生
%A 鲁林芝
%J 功能材料
%D 2019
%R 10.3969/j.issn.1001-9731.2019.05.001
%X 研究以醋酸镍为Ni源,通过水热方法合成不同浓度Ni掺杂的ZnO纳米棒阵列膜,采用XRD、PL以及XPS等测试方法对掺杂的ZnO纳米棒阵列膜进行结构表征,通过自制的光电性能平台进行光电导性能的测试。研究结果表明,Ni的掺杂改变了ZnO晶格常数的大小。掺杂后的ZnO纳米棒阵列膜的光响应度很高,其中醋酸镍浓度为0.05 mol/L的ZnO纳米棒阵列膜的光响应度最高,可以达到3 112.1,是纯ZnO纳米棒阵列膜的光响应度的38倍。Ni的掺杂使得ZnO纳米棒的耗尽层宽度拓宽,降低了暗电导,从而使得光响应度增大
%K 光响应度
%K ZnO
%K Ni掺杂
%K 纳米棒阵列膜
%U http://www.gncl.cn/CN/abstract/abstract16580.shtml