%0 Journal Article
%T 亚胺化工艺对聚酰亚胺/纳米Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub> 三层复合薄膜耐电晕性能的影响
%A 刘立柱
%A 翁凌
%A 贺洪菊
%J 功能材料
%D 2017
%R 10.3969/j.issn.1001-9731.2017.06.028
%X 以均苯四甲酸二酐和4,4’-二氨基二苯醚作为原材料,N,N-二甲基乙酰胺作为溶剂,采用原位聚合法通过不同的亚胺化工艺分别制备了3组掺杂量为12%(质量分数)的PI/纳米Al2O3 三层复合薄膜。采用红外光谱(FT-IR)对复合薄膜的第1层进行了表征,并计算了不同工艺下第1层复合薄膜的亚胺化率。采用扫描电子显微镜(SEM)对三层复合薄膜的断面结构进行了表征。同时,利用光激放电(photon-stimulated discharge, PSD)测试了复合薄膜的陷阱状态,并对纯膜及复合薄膜的电老化阀值和耐电晕时间进行了测试。结果表明,随着亚胺化温度与时间的增加,第1层复合薄膜的亚胺化程度随之增加,即亚胺化率增大;随着亚胺化率的增加,复合薄膜的层间结合程度逐渐变好,复合薄膜内部陷阱密度降低,电老化阀值增加,耐电晕时间增加
%K 聚酰亚胺
%K 亚胺化工艺
%K PSD
%K 电老化阀值
%K 耐电晕
%U http://www.gncl.cn/CN/abstract/abstract17281.shtml