%0 Journal Article
%T 稀土离子掺杂AlN薄膜发光材料的研究进展
%A 曾雄辉
%A 李祥
%A 王晓丹
%A 陈飞飞
%J 功能材料
%D 2018
%R 10.3969/j.issn.1001-9731.2018.09.010
%X 纤锌矿结构氮化铝(AlN)是一种典型的直接宽禁带化合物半导体,稀土离子掺入后可作为发光材料应用在显示、照明等众多领域。对稀土掺杂氮化铝薄膜的制备方法,结构损伤、发光特性、器件研究等进行了综述,并着重总结了影响发光性能的因素。最后对该研究方向进行了展望
%K 氮化铝
%K 稀土离子
%K 发光特性
%K 器件
%U http://www.gncl.cn/CN/abstract/abstract17182.shtml