%0 Journal Article
%T 烧结温度对Nb<sub>2</sub>O<sub>5</sub>掺杂TiO<sub>2</sub>靶材性能的影响
%A 尚福亮
%A 彭 伟
%A 朱佐祥
%A 杨海涛
%A 高 玲
%J 功能材料
%D 2017
%R 10.3969/j.issn.1001-9731.2017.03.042
%X 采用真空烧结方法制备了Nb2O5∶TiO2(NTO)的陶瓷靶材,研究了在7.5%(质量分数)掺杂量下不同烧结温度对NTO陶瓷靶材的微观结构、表面形貌、电学性能、致密度和抗弯强度的影响。通过对NTO靶材的各项性能进行了表征分析表征,实验结果表明,当烧结温度在1 150 ℃,掺杂量在7.5%(质量分数)时,所制备的陶瓷靶材各项性能最优,其各项性能指标均表现良好,其电阻率为3.420 mΩ·cm,抗弯强度为129.24 MPa,其致密度为94.30%。表明此时所制备的NTO陶瓷靶材更加适合于实际工业应用
%K 靶材
%K 掺杂
%K 烧结温度
%K 透明导电薄膜
%U http://www.gncl.cn/CN/abstract/abstract17721.shtml