%0 Journal Article
%T 16原子GaAs超胞中In替位式掺杂模型研究
%A 丁召
%A 刘万松
%A 刘雪飞
%A 周勋
%A 王一
%A 王继红
%A 罗子江
%A 郎啟智
%A 郭祥
%A 魏杰敏
%J 功能材料
%D 2018
%R 10.3969/j.issn.1001-9731.2018.08.030
%X 对16原子GaAs超胞中In替位式掺杂的模型进行深入研究,发现当In掺杂比例从0～1变化时,具有256种掺杂方式,共计13种对称属性。研究还发现在相同掺杂比例下模型具有不同对称属性,同一对称属性对应不同掺杂比例。论文还对其中4种情况的态密度进行计算,计算结果显示In掺杂的比例是影响GaAs超胞物理性质的重要因素,而对称性对物理性质的影响可以忽略不计
%K In<i><sub>x</sub></i>Ga<sub>1-<i>x</i></sub>As
%K 替位式掺杂
%K 能带结构
%K 对称性
%U http://www.gncl.cn/CN/abstract/abstract17165.shtml