%0 Journal Article
%T In<i><sub>x</sub></i>Ga<sub>1-<i>x</i></sub>As/GaAs异质薄膜的临界厚度
%A 丁召
%A 倪照风
%A 崔潇
%A 王继红
%A 罗子江
%A 郭祥
%J 功能材料
%D 2018
%R 10.3969/j.issn.1001-9731.2018.08.028
%X 从In组分、生长温度和As BEP 3个参数出发,利用RHEED和STM技术深入研究了InxGa1-xAs/GaAs异质薄膜的临界厚度。研究发现In的组分直接决定了InxGa1-xAs/GaAs异质薄膜的临界厚度,而生长温度和As BEP的差异也在很大程度上对临界厚度产生重要影响。在特定的生长温度和As BEP下,InxGa1-xAs/GaAs的临界厚度随着In组分的减小呈指数增加,尤其是当In组分＜20%时临界厚度将趋于无穷大。对于特定In组分的InxGa1-xAs/GaAs异质薄膜来说,当生长温度相同时,临界厚度随着As BEP的增加而迅速增大;而在As BEP相等时,临界厚度将随着生长温度的增加而减小;不同生长温度之间临界厚度的差异将随着As BEP的减小而不断减小,到更低As BEP时甚至将趋于相等
%K InGaAs/GaAs异质薄膜
%K 临界厚度
%K 生长温度
%K As BEP
%U http://www.gncl.cn/CN/abstract/abstract17163.shtml