%0 Journal Article
%T Xe/Pb离子辐照对注碳SiO<sub>2</sub>发光特性的影响
%A 刘纯宝
%A 蔡鲁刚
%A 陈兰芳
%J 功能材料
%D 2018
%R 10.3969/j.issn.1001-9731.2018.01.011
%X 先用100 keV 碳离子注入非晶态SiO2薄膜,再用高能Xe或Pb离子辐照对样品室温下辐照,然后用光谱仪对样品进行分析。实验结果显示,高能Xe或Pb离子的辐照能显著影响样品的发光特性,发光峰的改变与碳的注入剂量、高能离子的种类和能量以及辐照剂量密切相关,发光强度会随着高能离子的辐照剂量增加而变化,具有较大电子能损值的入射离子能更高效的导致材料的发光特性改变。发光特性的改变与薄膜内部微结构的变化有关,入射离子对应的电子能损大将会造成更大的材料损伤,从而能更显著的影响样品的发光。对离子辐照导致薄膜发光峰演化与薄膜微结构改变的关联进行了简单讨论
%K 光致发光谱
%K 离子辐照
%K 缺陷
%K 电子能损
%K SiO<sub>2</sub>
%U http://www.gncl.cn/CN/abstract/abstract16749.shtml