%0 Journal Article
%T 具有大半金属能隙的V掺杂LiZnP新型稀磁半导体的磁电性质
%A 于越
%A 刘明
%A 刘焦
%A 张恒源
%A 杜成旭
%A 杜颖妍
%A 毋志民
%A 贾倩
%A 陈婷
%J 功能材料
%D 2019
%R 10.3969/j.issn.1001-9731.2019.12.030
%X 采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波超软赝势法,对新型稀磁半导体Li1±y(Zn1-xVx)P(x=0,0.0625;y=0,0.0625)体系进行几何结构优化,计算并分析了各体系的电子结构,形成能,半金属性,磁性及居里温度。结果表明,新型稀磁半导体LiZnP可通过掺入V和改变Li的化学计量数来实现自旋和电荷注入机制的分离。单掺V引入了自旋极化杂质带,表现出强的半金属性,sp-d杂化导致体系产生2.92 μB的净磁矩。体系的性质还受Li的化学计量数的影响,Li空位时,半金属性和磁性有所减弱,但居里温度最高;Li填隙时,杂化作用增强,形成能最低,导电能力最强,磁性最大
%K V掺LiZnP
%K 电子结构
%K 半金属性
%K 磁性
%U http://www.gncl.cn/CN/abstract/abstract17897.shtml