%0 Journal Article
%T 烧结气氛压力对高性能TFT用ITO靶材结瘤性能的研究
%A 姜姝
%A 张雪凤
%A 李喜峰
%A 杜海柱
%A 杨祥
%A 陆映东
%A 黄誓成
%J 功能材料
%D 2018
%R 10.3969/j.issn.1001-9731.2018.08.009
%X 通过在烧结过程中调节气氛气压改变烧结压力来制备高性能ITO靶材,采用磁控溅射生长ITO薄膜,采用X射线衍射(XRD)、紫外-可见分光光度计、原子力显微镜(AFM)、扫描电子显微镜等对ITO薄膜进行表征并对靶材表面进行观察。结果表明烧结压力略高于标准大气压(0.105 MPa)工艺条件下制备的ITO靶材表面的结瘤更少。磁控溅射制备的薄膜均处于非晶状态,薄膜的表面粗糙度由0.35 nm降低至0.28 nm,薄膜的平均光学透过率均高于84%。改善工艺后的ITO靶材制备的ITO薄膜刻蚀残留非常少。在优化的工艺条件下,靶材质量得到有效改善,透明导电氧化物薄膜性能得到提高
%K 气氛烧结
%K ITO靶材
%K ITO薄膜
%U http://www.gncl.cn/CN/abstract/abstract17144.shtml