%0 Journal Article
%T SnO<sub>2</sub>微米线的直接沉淀法制备及其光催化、光电化学性能研究
%A 倪春贵
%A 李晓东
%A 杨善
%A 黄锡奇
%J 功能材料
%D 2018
%R 10.3969/j.issn.1001-9731.2018.08.005
%X 利用简单的直接沉淀法,采用聚乙二醇为导向剂,在常温下合成了SnC2O4微米线,其平均轴向长度为109.6 μm,直径为0.95 μm。经过煅烧后制备了大长径比的SnO2微米线,并利用扫描电镜、透射电镜、X射线衍射等分析手段对其进行了表征。以罗丹明B为探针反应研究样品的光催化活性,结果表明,由于较大的比表面积、独特的孔结构,4 h光催化降解率高达80%,同时探索研究了其光电化学性能,当外偏压为2 V时,光电流响应为6.03 μA/cm2
%K SnO<sub>2</sub>微米线
%K 直接沉淀法
%K 光催化
%K 光电化学性能
%U http://www.gncl.cn/CN/abstract/abstract17140.shtml